“罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗”

世界汽车新闻7月19日，半导体制造商罗姆( rohm )耐压650v，内置sic肖特基势垒二极管的混合动力型igbt ) rgwxx65c系列) rgw60ts65chr，rgw 包括rgw00ts65chr )的新产品，适用于太阳能发电的功率调节器、车载充电器、电动汽车电气化汽车( xev )采用的直流/直流转换器等高功率汽车和工业用APP。

(图片来源:罗姆人)

rgwxx65c系列在igbt的反馈单元(回流二极管)中使用了罗姆人的低损耗sic肖特基势垒二极管，可以将二极管的开关损耗抑制在最小限度，所以几乎没有恢复能量。 另外，由于不需要用igbt解决恢复电流，因此igbt的导通损失大幅降低。 如果将该产品用于车载充电器，由于这两种效果的协同效应，其损失比以前流传的igbt减少67%，比超级结MOSFET(SJMOSFET )减少24%，性价比进一步提高，并

近年来，在全球范围内为减少环境负荷、实现碳中和、实现脱碳社会而不断努力的情况下，电动汽车( xev )越来越普及。 另外，为了配置更高效的系统，各种车辆的逆变器和转换器电路也需要更加多样化。 此外，超低损耗sic功率器件，即sic mosfet、sic sbd等，以及以前流传下来的功率器件，如igbt、超级结mosfet等也需要在技术上进行创新。

为了为大量APP提供有效的电源处理方案，吉卜赛人不仅注重业界领先的sic功率器件的产品和技术开发，还注重硅产品和驱动ic的开发。

罗姆人还在网站上提供了各种设计支持资料，包括spice模型和APP笔记，用于统一确定支持快速上市所需的驱动电路设计。 吉卜赛人通过开发满足各种诉求的低损耗功率设备和提供设计工具，通过系统的低功耗和小型化继续为环境保护做出贡献。