“安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块处理方案 用于电动汽车充电”

世界汽车新闻6月7日，推进节能创新的安森美半导体( on semiconductor )推出1200 v全碳化硅( sic ) mosfet 2-pack模块，进一步强化产品系列，挑战性电动汽车) ev )

在电动汽车销量持续增加的情况下，基础设施必须不断完善以满足驾驶员的诉求。 例如，通过提供快速充电站互联网，汽车可以更快地完成行程，没有“行驶距离的不安”。 这样的诉求迅速发展，充电功率超过350 kw、效率超过95%的要求也成为了“常态”。 由于部署充电站的环境和场所多样，设计师面临着紧凑、坚固、可靠等诸多挑战。

(照片来源:安森美半导体)

新型1200v m1碳化硅mosfet 2-pack模块基于平面技术制造，可适用的驱动电压为18-20 v，易于在栅极负电压下驱动。 与槽型mosfet相比，较大的裸芯片可以降低热阻，在相同的工作温度下可以降低裸芯片的温度。

nxh010p120mnf1配置为2包半桥架构，是使用f1封装的10 mohm设备，而nxh006p120mnf2是使用f2封装的6 mohm设备。 这些封装使用压接销，最适合工业用途。 另外，还使用了内置的负温度系数( ntc )热敏电阻，有助于温度监视。

作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分，新的碳化硅mosfet模块旨在与ncd5700x器件等驱动程序处理方案一起采用。 最新推出的ncd57252双通道隔离igbt/mosfet栅极驱动器可提供5 kv的电流隔离，并可配置为在双下桥、双上桥或半桥上工作。

ncd57252使用小型soic-16宽屏封装，接受逻辑电平的输入( 3.3 v、5 v、15 v )。 典型的传输延迟为60ns，因此该高电流器件(镜像平台电压，源极电流为4.0 a/漏极电流为6.0 a )适合高速业务。

安森美半导体的碳化硅mosfet与全新的模块和栅极驱动器互补。 与类似的硅器件相比，碳化硅mosfe提供了优异的开关性能和散热性能，提高了效率和功率密度，改善了电磁干扰( emi )，实现了系统的小型化和轻量化。

最近公布的650 v碳化硅mosfet通过使用新奇的有源单元设计，与先进的薄片技术相结合，可以提供( rds(on ) *area )一流的质量因数) fom。 NBG 015 n 065 SC 1、ntbg015n065sc1、nvh4l015n065sc1、nth4l015n065sc等系列设备为D2包7 l/TO 247封装的mosfet提供了市场最低的RDS (开启)

1200 v和900 v n通道碳化硅mosfet芯片尺寸小，可降低器件容量和栅极电荷( QG–220 NC低)，降低电动汽车充电站所需高频工作的开关损耗。