“博世创投投资基本半导体，加码SiC赛道”

3月9日，博世旗下的博世创投宣布完成对基本半导体的投资。 基本半导体是位于深圳的碳化硅功率器件供应商，博世的目的是进一步完善其在第三代半导体行业的布局。

目前，随着新能源汽车的高速发展，以碳化硅( sic )、氮化镓)、氧化锌)、zno )等为代表的第三代半导体也迎来了爆炸性的风口。 与砷化镓( gaas (磷化铟) inp )等第二代半导体相比，第三代半导体是否具有高频、高效、高功率、高压耐受性、耐高温、抗辐射性高等优越的性能，能更好地满足新能源汽车快速发展的诉求？ 特别是碳化硅，作为制造mosfet、igbt、sbd等高耐压、大功率电子器件的主要材料，广泛应用于新能源汽车行业。

相关预测数据显示，到2025年，新能源汽车和充电站行业碳化硅市场将达到17.78亿美元，约占碳化硅总市场规模的7成。 言外之，新能源汽车领域将成为碳化硅市场的最大驱动力。

博世碳化硅微芯片，照片来源:博世

因此，目前许多公司都在积极布局碳化硅行业。 其中博世于2019年开始开发试验碳氢化合物芯片。 在北京车展上，博世碳化硅功率器件首次亮相。 该产品可使电动汽车和混合动力汽车的续航距离增加约6%，从而大幅降低能耗。

从博世看来，碳化硅无疑是未来的大方向。 这是因为碳化硅功率器件与以往传来的硅基材料产品相比，可以实现更高的开关频率，并且可以维持低能量损失和小芯片面积，节能效果很好。 因此，近两年来博世持续增加对相关技术行业的投资，在位于德国的两家芯片工厂开始生产碳化硅芯片代替igbt。

此次对基本半导体的投资无疑是博世加强碳化硅配置的又一重要举措。 作为中国第三代半导体领域的重要参与者之一，基本半导体最致力于碳化硅功率器件的开发和产业化，涵盖碳化硅功率器件的材料制造、芯片设计、制造技术、封装测试、驱动应用等产业全链条，全电流电压级碳化硅肖特基 公布了通过工业级可靠性测试的1200v碳化硅mosfet、汽车规格级全碳化硅功率模块等系列产品。

基本半导体开发的车规级碳化硅功率模块，照片来源:基本半导体

其中，车规级全碳化硅功率模块是专门开发用于与新能源汽车电机控制器比较的，搭载8个碳化硅mosfet芯片，具有高功率密度、高可靠性、低模块内部寄生电感、低热阻等性能特点，2021年

随着产品方面的巨大突破，今年2月，基本半导体在日本名古屋正式注册成立基本半导体股份有限公司，利用日本半导体、汽车等产业的人才和技术特点，加快了车规级碳化硅功率模块产品的开发和产业化，致力于全球化布局。