“东芝和日本半导体提出新做法 可优化LDMOS中的HBM容差并抑制导通电阻”

世界汽车新闻6月11日，东芝电子器件与存储株式会社(东芝)和日本半导体株式会社)日本半导体)共同展示了提高高压横向双重扩散mos ) laterallydoublediffusedmos、ldmos )的可靠性和性能的改善方法。 其中，ldmos是电机控制驱动器等许多汽车APP应用的模拟ic的核心组件。 包括车辆电气化迅速发展，更广泛地引入高级驾驶辅助系统( adas )在内，东芝和日本的半导体可以提供根据需要的电压进行了改善的ldmos单元设计。

(照片来源:东芝)

众所周知，在设计ldmos时，总是需要在可靠性和性能之间进行权衡。 横向寄生双极效应一般会降低人体模型( hbm )的公差。 通过增加背栅比( backgate ratio )抑制横向寄生双极效应，hbm测量的静电放电) esd )的公差得到改善。 但是，如果增大背栅比，则导通电阻增加，性能下降。 即使是现在，ldmos的设计者也需要在hbm的容许公差和更高的导通电阻之间取得平衡。

东芝和日本半导体判断ldmos中的hbm公差，发现即使背栅比增加，在80v以上时公差也不会增加。 这是因为，在2d tcad模拟中，垂直寄生双极效应与横向寄生双极效应一起出现，设计者在设定hbm和背栅比参数时自由度增大。

东芝企业开发了优化背栅比(背栅总宽度与源栅总宽度之比)以外的单元设计参数的技术。 结合这项技术和此次发现，东芝和日本的半导体提出了改善hbm公差、抑制80v以上的ldmos导通电阻的方法，使得ldmos可以不依赖背栅比率而具有hbm公差。 这种方法可以应用于发动机、转向系统等其他汽车系统，有助于提高可靠性和电力效率。

东芝拥有支持各种APP、各种电压的ldmos的广泛产品线，同时开发了能够将嵌入式非易失性存储器( envm )与高压模拟ic集成的第五代工艺技术。 东芝和日本的半导体致力于半导体技术的研究开发，为低功耗和高可靠性做出了贡献。