“UnitedSiC推出九个750V SiC器件 导通电阻最低达6mΩ”

世界汽车信息显示，碳化硅功率半导体制造商组合集成电路企业将推出9个750 v集成电路器件，其中导通电阻可低至6mω。 这些器件为电动汽车的传动系统提供了特点。

(图像来源:统一集成电路)

新的750v sic fet系列的额定值为6、9、11、23、33、44mΩ，使用to-247-4l封装。 18、23、33、44和60mΩ设备也使用以前流传的to-247-3l软件包。

据该公司称，该系列于去年12月推出了18和60mΩ750v设备。 由于新的扩展产品与这些现有的设备不相容，因此为设计者提供了越来越多的选择，提高了设计灵活性，取得了最佳的价格/效率权衡，保持了足够的设计裕度和电路的牢固性。

集成sic的第四代sic fet是与sic jfet共同封装的硅mosfet的“级联”( cascode )。 总结来说，提供高速、低损耗、高温工作的宽带隙技术的所有特征，保持简单、稳定性、强力的栅极驱动，可以整合esd保护。

这些特征通过质量系数( foms )进行量化，例如导通电阻rds(on ) x a是测量单位晶粒面积传导损耗的指标。 据说第四代sic fet在高晶粒温度和低晶粒温度上都达到了市场最低的值。 估计fomrds(on ) x eoss/qoss在硬开关的应用中非常重要，是最近的竞争产品的一半。 fomrds(on ) xcoss ) tr )在软交换应用中非常重要，单片集成电路声称，其额定电压比650v的竞争设备低约30%，单片集成电路设备的额定电压为750v

相对于硬开关的应用，sic fet的聚合二极管在恢复速度和正向压降方面优于同行业竞争对手的si mosfet或sic mosfet技术。 第四代技术的其他特点是采用先进的晶片减薄技术和银烧结晶粒连接，降低晶粒和外壳之间的热阻。 这些特点可以在要求苛刻的APP照射下实现最大功率，实现低晶粒温度上升。

这些设备旨在用于电动汽车牵引驱动、车载和非车载充电器、以及可再生能源转换器、功率因数校正、电信转换器、ac-dc (或dc-dc )电源转换的所有阶段的单向和双向电力转换

第四代750vsic设备的价格参差不齐，比如uj4c075044k3s为4.15美元，uj4sc075006k4s为23.46美元。