“ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT“RGWxx65C系列””

世界知名半导体制造商rohm (总部位于日本京都市)拥有650v耐压、内置sic肖特基势垒二极管的IGBT (混合集成电路)“rgwxx65c系列”) rgw60ts65chr、rgw 80 t 该产品均适用于汽车电子，适用于以电气化车辆为首的电动汽车( xev )的车载充电器、dc/dc转换器、太阳能发电用的功率调节器等解决大功率的汽车电子设备和产业设备。

近年来，在世界性的“无碳社会的构筑”和“碳中和”等降低环境负荷的努力中，电动汽车( xev )越来越普及。 为了进一步提高系统的效率，各种车载设备的逆变器和转换器电路中采用的功率半导体也要求多样性，超低损耗的sic功率部件( sic mosfet、sic sbd等)和以往传来的硅功率部件) igbt

rohm致力于为广泛的APP应用提供较为有效的电源处理方案，不仅是领域先进的sic功率部件，也积极推进si功率部件和驱动ic的技术和产品开发。 这次，开发了可以向普及中的车载产业设备提供高性价比的混合动力IGBT。

“rgwxx65c系列”为混合型igbt，igbt*2的反馈单元(回流二极管)使用rohm的低损耗sic肖特基势垒二极管) sic sbd )，是以往igbt产品导通时的产品 在车载充电器中使用本产品时，与以往的igbt产品相比可以降低67%的损失，与超级结MOSFET(SJ-MOSFET )相比可以降低24%的损失，以更高的性价比进一步降低车载和工业设备APP的功耗

新产品将于2021年3月开始销售样品(样品价格( 1，200日元/个，不含税) )，从2021年12月开始将暂时以月产2万个的规模投入批量生产。 此外，rohm主页还提供了确定和部署本系列产品所需的丰富设计数据。 其中包括APP指南和spice模型，包括驱动电路的设计方法，以帮助快速部署到市场上。

今后，rohm还将继续开发满足各种诉求的低损耗功率器件，另外，通过支持APP系统的节能和小型化，提供用于减轻环境负荷的设计工具和各种应对方案。

新产品的优点

/ S2 /● 损失●耗电量为传统的 IGBT [/S2// ]

“rgwxx65c系列”为混合型igbt，igbt的反馈单元(续流二极管)使用了rohm的低损耗sic sbd。 与以往采用si高速恢复二极管( si-frd )的igbt产品相比，成功大幅降低了开通损耗，在车载充电器APP应用上的损耗比以往的igbt产品低67%。 与一般损失比igbt小的sj-mosfet相比，损失也能降低24%。 在转换效率方面，新产品在更宽的运行频率范围内确保97%以上的高效率，同时在100khz的运行频率上比igbt效率高3%，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备APP的功耗。

●符合AEC-q 101 [/s2/ ]的标准，可以在恶劣的环境下使用

新系列也符合汽车电子产品的可靠性基准“aec-q101”，在车载和产业设备等恶劣环境下也可以放心采用。

为了加速本系列的应用，rohm主页还免费提供了判断和部署本系列新产品所需的丰富设计数据，包括驱动电路的设计方法在内的APP指南和仿真模型( spice模型)等。 有关更多新闻，请访问以下网站:

Rohm /产品/ IGBT /现场停止传输- IGBT？ 搜索word = RGW & amp； ps_builtindiode=sic-sbd

※除了本系列的混合IGBT以外，产品阵容中还包括了采用si-frd作为续流二极管的产品和无续流二极管的产品。

有关更多新闻，请访问以下网站:

Rohm /产品/ IGBT /现场停止传输- IGBT？ 搜索word = RGW

车载充电器

车载直流/直流转换器

太阳能逆变器(功率调节器) )。

不间断电源( ups )。

*1)汽车电子产品的可靠性标准“aec-q101”

aec是automotive electronics council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子零部件制造商合作制定的汽车电子零部件可靠性标准。 q101是专门为与个别半导体部件(晶体管、二极管等)进行比较而制定的标准。

*2) IGBT (绝缘栅双极晶体管)、SJ-MOSFET )超氧化物半导体

两者一般都是使用si基板制造的功率半导体，器件结构不同。 虽然igbt比其他功率半导体便宜，但是为了工作需要回流二极管，为了工作需要双芯片结构，存在关断损失大的课题； 与igbt相比，sj-mosfet在没有续流二极管的情况下工作，且关断损耗小，但存在难以应对大功率的问题。 作为突破，igbt的回流二极管使用了sic sbd而不是以前流传的si-frd，发表了能够降低损耗的混合igbt。

*3)开通损耗和切断损耗

两者都是开关晶体管等半导体元件时发生的损失(开关损失)。 导通损耗是元件导通时发生的损耗，截止损耗是元件截止时发生的损耗。 理想情况下，这些损耗应该为零，但实际上，在结构上，在切换on和off时，不可避免地会流过不必要的电流而产生损耗。 这是因为对功率半导体来说，如何减少这些损失是重要的工作。